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深圳市鹏翔新科技有限公司
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产品信息
MMBT5551LT1G 两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN 无铅
产品种类：两极晶体管 - BJT
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极—基极电压 VCBO：140 V
集电极—发射极电压 VCEO：160 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—射极饱和电压：0.15 V
直流电集电极电流：0.6 A
工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SOT-23-3
商标：ON Semiconductor
集电极连续电流：0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
直流电流增益 hFE 值：250
功率耗散：225 mW
工作温度：- 55 C
封装：Reel
工厂包装数量：3000
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