英飞凌集成式巨磁阻传感器（iGMR）适用于角范围较大的应用，例如BLDC电机。巨磁阻技术可以决定角度范围在0°到360°之间的磁场方向。英飞凌iGMR传感器集高角度精度、高分辨率、快速信号处理为一体且延时短。它们经过了预校准，可以直接使用。设计师可以根据该产品信号处理集成程度的不同优化系统分区

一、EUPEC IGBT器件（含税价,IGBT型号中的电流值按TC=80℃时标称，后面电流值按TC=25℃时标称）

1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列

2、两单元――600V系列

3、六单元（低饱和压降型）

4、功率集成模块（三相桥+七单元+温度传感器

5、一单元--1200V/1700V

6、四单元 （H桥 30KHZ高频）

二、EUPEC IGBT驱动电路

2ED300C17-S （可驱动3600A，1700V，两单元）

2ED020I12-F （可驱动 50A，1200V，两单元）

三、EPCOS优质电解电容――超长寿命（85℃时12000小时）、超小体积、高效滤波

四、英飞凌 IGBT单管 600V/1200V

特点：

☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术

☆参数离散性小，便于批量生产使用

☆可靠性高，高温性能稳定，特性优异，具有的性能价格比

☆型号中电流按Tc=100℃时标称，有效使用电流大

☆600V IGBT单管工作结温可达Tjmax≤175℃

☆内置反并联软、快恢复（Emcon）高效二极管

☆正温被系数饱和压降易于并联

五、英飞凌 快恢复二极管 600V/1200V

我们相信，将“顾客至上，互利互惠”的理念贯穿于产品的销售、服务的始终。秉承质量、价格优惠、交货快捷的宗旨。我们真诚的希望与国内、外供应商、分销商、厂商携手合作，共同发展，在国际电子市场谱写新的辉煌！

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