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会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续直流电流：8.7 A
Rds漏源导通电阻：80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：13 nC
工作温度：-40 C
Pd-功率耗散：18 W
通道模式：增强
封装：Tube
配置：双
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：2 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：3.1 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6.6 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：13 ns
典型起始延迟时间：7 ns
零件号别名：IRFI4019H-117P SP001560458
单位重量：6 g
特征
•集成半桥封装
•将零件数减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS（ON）可提高效率
•较低的Qg和Qsw，以实现更好的THD和更高的效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中向8负载提供每通道高达200W的功率
•无铅套餐
描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。
它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。
工艺用于实现每个硅面积的低导通电阻。 此外，
优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，
以改善D类音频放大器的关键性能指标，例如效率，
THD和EMI。 这些结合在一起使该半桥成为用于
D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的设备。
额定值
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|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
150 |
V |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
±20 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
8.7 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
6.2 |
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|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
34 |
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EAS |
Single Pulse Avalanche Energy@ |
77 |
mJ |
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation © |
18 |
W |
|
PD @TC = 100°C |
Power Dissipation © |
7.2 |
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|
|
Linear Derating Factor |
0.15 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
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|
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) |
300 |
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Mounting torque, 6-32 or M3 screw |
10lb·in (1.1N·m) |
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询价
